[One Micro Micro],MOS管参数选择的基本点

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MOS晶体管有两种类型:N沟道和P沟道。在电源系统中,MOS管可以视为电气开关。当在N沟道MOS晶体管的 的的栅极和源极之间施加正电压时,其开关导通。接通时,电流可以通过开关从漏极流到源极。漏极和源极之间有一个内部电阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚,MOS晶体管的 的的栅极是高阻抗端子,因此必须始终向该栅极施加电压。如果门被悬挂,则该设备将无法按设计工作,并且可能会在不适当的的 的时刻打开或关闭,从而导致系统中潜在的的 的功率损耗。当源极和栅极的之间的电压的为零时,开关闭合,电流停止流经该器件。尽管此时设备处于关闭状态,但仍有小电流称为泄漏电流或IDSS。

作为电气系统的 的的基本组件,工程师如何根据参数进行正确的的选择?本文将分四个步骤讨论如何选择正确的的 的 MOS晶体管。

MOS管

1)频道的选择

为设计的选择合适的的器件第一步是确定是使用N沟道还是P沟道MOS晶体管。在典型的的 的电源应用中,当MOS晶体管接地并且负载连接到电源电压时电子烟mos管选型及基础知识,MOS晶体管形成一个低侧开关。在低侧开关中,应使用N沟道MOS晶体管。这是由于考虑了关闭或打开设备的所需的电压的。当MOS管连接到总线并且负载接地时,将使用高端开关。在这种拓扑结构中通常使用P沟道MOS晶体管,这也是由于电压驱动的。

2)电压和电流的选择

额定电压越高,设备的 的的成本越高。根据实际经验,额定电压应大于电源电压或总线电压。这样,可以提供足够的的 的保护,以使MOS管不会发生故障。就MOS管的的选择而言,有必要确定漏极和源极的之间的最大电压的,即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素,包括的 的由开关电子设备(例如电动机或变压器)引起的瞬态电压。不同的应用的 的具有不同的额定电压。通常,便携式设备为20V,FPGA电源为20-30V电子烟,85-220VAC应用为450-600V。

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在连续导通模式下,MOS管处于稳定状态,电流连续流过器件。脉冲尖峰是指流过设备的大量电涌(或尖峰电流)的。在这些条件下确定最大电流的 的后,只需选择可承受最大电流的 的的设备即可。

3)计算传导损耗

可以通过Iload2×RDS(ON)计算MOS管器件的 的的功率损耗。由于导通电阻随温度变化,功率损耗也将成比例地变化。对于便携式设计,更容易(更常见)使用较低的的 的电压,而对于工业设计,可以使用较高的的 的电压。请注意电子烟mos管的选择和基本知识电子烟mos管选型及基础知识,RDS(ON)电阻会随电流而略有增加。关于RDS(ON)电阻的,可以在制造商的的 的技术数据表中找到各种电气参数的的变化。

需要提醒设计师。一般而言,MOS管规格的 Id电流是MOS管芯片的 的的最大正常电流。在实际使用中,的最大正常电流也受封装的最大电流限制的的影响。因此电子烟mos管选型及基础知识,当客户设计产品的 的的最大电流设置电子烟价格时,应考虑封装的 的的最大电流限制。

建议客户设计产品的 电子烟价格。最大工作电流设置更为重要的是要考虑MOS晶体管的 的的内部电阻参数。

4)计算系统的散热要求

设计人员必须考虑两种不同的的 的情况电子烟品牌,最差的的情况和实际的的情况。建议将计算结果用于最糟糕的的情况的,因为该结果可以提供更大的的 的安全裕度,以确保系统不会出现故障。在MOS管的数据表电子烟MOS管的选择和基本知识中,有一些的测量数据需要注意。例如,封装的器件的半导体结和环境的 的热阻以及最高的结温。

开关损耗实际上也是一个非常重要的指标的。从下图可以看出,打开的时,电压和电流的的乘积很大。

在一定程度上决定了设备的 的的开关性能。但是,如果系统需要更高的的开关性能,则可以选择栅极电荷QG 的 的较小的功率MOSFET。

MOS管参数

([[1) MOS管主要参数

饱和漏极电流IDSS可以定义为:当栅极和源极之间的的 的电压等于零,并且漏极和源极之间的的 的电压更大时比夹断电压大,相当于的 的漏极电流。

夹断电压UP可以定义为:当UDS恒定时,ID减小到很小的的 的电流的 UGS。

开启电压UT可以定义为:当UDS恒定时,要求ID达到某个值的 UGS。

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([[2) MOS管的交流参数

交流参数可以分为两个参数:输出电阻和低频跨导。输出电阻通常在数十千欧至数百千欧之间,低频跨导通常在十分之一至几毫秒的之间,在此范围内,特殊的可以达到100mS甚至更高。

低频跨导gm,描述了栅极和源极电压对漏极电流的 的的控制效果。

在三个电极的之间的MSO管的的电极间电容的的电容。 的 的的值越小,的 的管的性能越好。

([[3) MOS管极限参数

①最大漏极电流是指灯泡正常工作时允许的的漏极电流上限的。

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②最大功耗是指灯的 的的功率,它受灯的 的的最高工作温度的限制,

③最大漏极-源极电压是指雪崩击穿且漏极电流开始急剧上升时出现的的 的电压。

④最大栅极-源极电压是指栅极和源极之间的的反向电流开始急剧增加时的的 的电压值。

除了上述参数电子烟品牌,还有其他参数,例如极间电容和高频参数。

漏极和源极击穿电压当漏极电流急剧上升时,会发生雪崩击穿的 UDS。

栅极击穿电压当结MOS晶体管正常工作时,栅极和源极之间的的 的 PN结处于反向偏置状态。如果电流太高,则会击穿。

([[4)使用时主要注意的 MOS管参数

1、IDSS饱和的漏源电流。指结型或耗尽型绝缘栅MOS晶体管中的的栅极电压UGS = 0 的漏源电流。

2、UP收缩电压。指结型或耗尽型绝缘栅MOS晶体管,的漏-源仅截止的栅电压。

3、UT连接电压。它是指在增强型绝缘栅场效应晶体管中漏极刚刚打开时的的 的栅极电压。

4、gM-跨导。它表示栅极-源极电压UGS-漏极电流ID 的 的的控制能力电子烟品牌,即漏极电流ID 的的变化与栅极-源极电压UGS 的 的的比率。 。 gM是测量MOS管放大倍数的重要参数的。

5、BUDS-漏源击穿电压。这意味着的是当栅极-源极电压UGS恒定时MOS管可以承受的最大漏极-源极电压的。这是一个极限参数。当添加到MOS管的时,工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM-最大功耗。它也是MOS管选择的极限参数电子烟和基础知识,这意味着的是MOS管的的性能不降低时允许的最大漏极-源极功率耗散。使用时,MOS管的实际功耗的应小于PDSM 的的功耗,并且有一定的的裕量。7、IDSM-最大漏源电流。它是一个极限参数,是指当MOS管正常工作时允许在漏极和源极之间通过的 的的最大电流。 MOS管的 的的工作电流不应超过IDSM。

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